工業用低エネルギー電子線照射の線量評価

来島 利幸*; 中瀬 吉昭*

JAERI-Research 97-013, 124 Pages, 1997/03

JAERI-Research-97-013.pdf:4.93MB

工業用低エネルギー電子線照射における吸収線量の評価のために、モンテカルロ法により物質中に入射した電子の挙動について計算を行った。ここでは、電子の単一散乱を仮定し、相対論的取扱いを行って、従来より正確にかつパソコンレベルで計算できるコードを開発した。加速器窓としてのTi層、空気層、線量計としての三酢酸セルローズ(CTA)層及び基板の多層構造に主として300keV電子を照射したときの振る舞いについて解析した。CTA表面における電子のエネルギースペクトル、角度分布の計算や、CTAにおける深度吸収線量等の計算を行った。これらの計算結果と実測値との比較を行い両者が良く一致することを確認した。

Monte Carlo calculations on the passage of electrons through thin films irradiated by 300keV electrons

来島 利幸*; 小寺 正敏*; 菅 博*; 中瀬 吉昭

IEICE Trans. Electron., E78-C(5), p.557 - 563, 1995/05

単一散乱モデルを使用したモンテカルロ計算を行い、300keV電子加速器のTi窓、その下の空気層及び三酢酸セルロース(CTA)内の電子の振る舞いを求めた。Ti窓、空気層を通過してCTA表面に入射した300keV電子のエネルギースペクトル、角度分布及び各種基枚上に置いたCTA中の深度線量分布等を求めた。これらの計算結果のいくつかは実測値と比較し、両者が良く一致することを示した。